Bipolartransistor 2SD1623-T
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1623-T
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 0.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des 2SD1623-T
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1623-T
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