Bipolartransistor 2SD1623-T

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1623-T

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD1623-T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1623-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1623 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SD1623-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1623-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1623-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Der 2SD1623-T-Transistor ist als "DFT" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1623-T ist der 2SB1123-T.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1623-T

Sie können den Transistor 2SD1623-T durch einen 2SD1624, 2SD1624-T, 2STF1360 oder 2STF1550 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com