Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1609-D
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 1.25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 145 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SD1609-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1609-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1609 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD1609-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1609-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1609-D-Transistor könnte nur mit "D1609-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1609-D ist der 2SB1109-D.
Transistor 2SD1609-D im TO-92-Gehäuse
Der HSD1609S-D ist die TO-92-Version des 2SD1609-D.
