Bipolartransistor 2SD1252A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1252A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SD1252A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1252A kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1252A-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD1252A-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD1252A-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1252A-Transistor könnte nur mit "D1252A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1252A ist der 2SB929A.

SMD-Version des Transistors 2SD1252A

Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1252A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1252A

Sie können den Transistor 2SD1252A durch einen 2SD1253A ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com