Bipolartransistor KTC2020D
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2020D
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-252
Pinbelegung des KTC2020D
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors KTC2020D
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC2020D
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