Bipolartransistor KTC2020D

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2020D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des KTC2020D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2020D kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2020D-GR liegt im Bereich von 150 bis 300, die des KTC2020D-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC2020D ist der KTA1040D.

SMD-Version des Transistors KTC2020D

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2020D-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC2020D

Sie können den Transistor KTC2020D durch einen 2SD1221 ersetzen.
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