Bipolartransistor 2SD1212-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1212-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD1212-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1212-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1212 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SD1212-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1212-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1212-Q-Transistor könnte nur mit "D1212-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1212-Q ist der 2SB903-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1212-Q

Sie können den Transistor 2SD1212-Q durch einen 2N6486, 2N6486G, 2N6487, 2N6487G, 2SC3345, 2SC3345-O, 2SC3709, 2SC3709-O, 2SC3709A, 2SC3709A-O, 2SD1062, 2SD1062-Q, 2SD1669, 2SD1669-Q, BD545, BD545A, BD705, BD707, BD743, BD743A, BD905, BD907, BDT81 oder BDT81F ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com