Bipolartransistor 2SD1006-HK

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1006-HK

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD1006-HK

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1006-HK kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1006 liegt im Bereich von 90 bis 400, die des 2SD1006-HL im Bereich von 135 bis 270, die des 2SD1006-HM im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Der 2SD1006-HK-Transistor ist als "HK" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SD1006-HK ist der 2SB805-KK.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1006-HK

Sie können den Transistor 2SD1006-HK durch einen 2SB805, 2SB805-KK, 2SB806, 2SB806-KP, 2SD1007, 2SD1007-HP oder PBHV9115X ersetzen.
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