Bipolartransistor PBHV9115X

Elektrische Eigenschaften des Transistors PBHV9115X

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.52 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100
  • Übergangsfrequenz, min: 115 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des PBHV9115X

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der PBHV9115X-Transistor ist als "4G" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum PBHV9115X ist der PBHV8115X.
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