Bipolartransistor 2SC6011-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC6011-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 160 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SC6011-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC6011-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC6011 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SC6011-P im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC6011-Y im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC6011-O-Transistor könnte nur mit "C6011-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC6011-O ist der 2SA2151-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC6011-O

Sie können den Transistor 2SC6011-O durch einen 2SC3263, 2SC3263-O, 2SC3320, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SC6145, 2SC6145-O, 2SC6145A, 2SC6145A-O, 2SD1313, MAG6333, MAG6333A, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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