Bipolartransistor 2SC3263-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3263-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 230 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 230 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 130 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 35 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SC3263-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3263-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3263 liegt im Bereich von 50 bis 140, die des 2SC3263-Y im Bereich von 70 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3263-O-Transistor könnte nur mit "C3263-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3263-O ist der 2SA1294-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3263-O

Sie können den Transistor 2SC3263-O durch einen 2SC3320, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SC6145, 2SC6145-O, 2SC6145A, 2SC6145A-O, 2SD1313, MAG6333, MAG6333A, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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