Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3266-GR
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 20 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC3266-GR
Der 2SC3266-GR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC3266-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3266 liegt im Bereich von 120 bis 700, die des 2SC3266-BL im Bereich von 350 bis 700, die des 2SC3266-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3266-GR-Transistor könnte nur mit "C3266-GR" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3266-GR ist der 2SA1296-GR.
SMD-Version des Transistors 2SC3266-GR
Der BCX68 (SOT-89) und BCX68-25 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SC3266-GR-Transistors.
Transistor 2SC3266-GR im TO-92-Gehäuse
Der KTC3266-GR ist die TO-92-Version des 2SC3266-GR.
