Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1296-GR
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -20 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1296-GR
Der 2SA1296-GR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1296-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1296 liegt im Bereich von 120 bis 400, die des 2SA1296-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1296-GR-Transistor könnte nur mit "A1296-GR" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1296-GR ist der 2SC3266-GR.
SMD-Version des Transistors 2SA1296-GR
Der 2STF2220 (SOT-89), BCX69 (SOT-89) und BCX69-25 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA1296-GR-Transistors.
Transistor 2SA1296-GR im TO-92-Gehäuse
Der KTA1296-GR ist die TO-92-Version des 2SA1296-GR.
