Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2634-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 55 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 360
Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2634-R
Der 2SC2634-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2634-R kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 360 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2634 liegt im Bereich von 180 bis 700, die des 2SC2634-S im Bereich von 260 bis 520, die des 2SC2634-T im Bereich von 360 bis 700.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2634-R-Transistor könnte nur mit "C2634-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2634-R ist der 2SA1127-R.
SMD-Version des Transistors 2SC2634-R
Der MMBT2484 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2634-R-Transistors.
