Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1127-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -55 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 360
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1127-R
Der 2SA1127-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1127-R kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 360 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1127 liegt im Bereich von 180 bis 700, die des 2SA1127-S im Bereich von 260 bis 520, die des 2SA1127-T im Bereich von 360 bis 700.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1127-R-Transistor könnte nur mit "A1127-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1127-R ist der 2SC2634-R.
