Bipolartransistor 2SC1009G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SC1009G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SC1009G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1009 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SC1009O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC1009R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC1009Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1009G-Transistor könnte nur mit "C1009G" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1009G ist der 2SA709G.Der KSC1009G ist die TO-92-Version des 2SC1009G.Sie können den Transistor 2SC1009G durch einen KSC1009 oder KSC1009G ersetzen.