Bipolartransistor 2SA1788-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1788-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des 2SA1788-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1788-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1788 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SA1788-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1788-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1788-E-Transistor könnte nur mit "A1788-E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1788-E ist der 2SC4652-E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1788-E

Sie können den Transistor 2SA1788-E durch einen 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1633-E, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB816, 2SB816-E, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, 2SB966, 2SB966-Q, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.
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