Bipolartransistor 2SB817C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 120 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB817C-Transistor könnte nur mit "B817C" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB817C ist der 2SD1047C.Sie können den Transistor 2SB817C durch einen 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB817, 2SB817-E, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.