Bipolartransistor 2SB1560-O

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 5000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1560-O kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 12000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1560 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SB1560-P im Bereich von 6500 bis 20000, die des 2SB1560-Y im Bereich von 15000 bis 30000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1560-O-Transistor könnte nur mit "B1560-O" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1560-O ist der 2SD2390-O.Sie können den Transistor 2SB1560-O durch einen BDV66D, MJH11017, MJH11017G, MJH11019, MJH11019G, MJH11021 oder MJH11021G ersetzen.