Bipolartransistor MJH11019
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJH11019
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
Pinbelegung des MJH11019
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJH11019
Bleifreie Version
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com