Bipolartransistor MJH11019

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJH11019

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des MJH11019

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJH11019 ist der MJH11020.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJH11019

Sie können den Transistor MJH11019 durch einen MJH11019G, MJH11021 oder MJH11021G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJH11019G-Transistor ist die bleifreie Version des MJH11019.
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