Bipolartransistor 2SB1560-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1560-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15000 bis 30000
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB1560-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1560-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 15000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1560 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SB1560-O im Bereich von 5000 bis 12000, die des 2SB1560-P im Bereich von 6500 bis 20000.

Equivalent circuit

2SB1560-Y equivalent circuit

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1560-Y-Transistor könnte nur mit "B1560-Y" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1560-Y ist der 2SD2390-Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1560-Y

Sie können den Transistor 2SB1560-Y durch einen BDV66D ersetzen.
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