Bipolartransistor MJH11017G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJH11017G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247
  • Der MJH11017G ist die bleifreie Version des MJH11017-Transistors

Pinbelegung des MJH11017G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJH11017G

Sie können den Transistor MJH11017G durch einen MJH11017, MJH11019, MJH11019G, MJH11021 oder MJH11021G ersetzen.
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