Bipolartransistor MJH11017G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJH11017G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
- Der MJH11017G ist die bleifreie Version des MJH11017-Transistors
Pinbelegung des MJH11017G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJH11017G
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