Bipolartransistor MJH11019G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJH11019G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247
  • Der MJH11019G ist die bleifreie Version des MJH11019-Transistors

Pinbelegung des MJH11019G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJH11019G

Sie können den Transistor MJH11019G durch einen MJH11019, MJH11021 oder MJH11021G ersetzen.
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