Bipolartransistor 2SB1154-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1154-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 70 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1154-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1154-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1154 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB1154-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB1154-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1154-R-Transistor könnte nur mit "B1154-R" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1154-R

Sie können den Transistor 2SB1154-R durch einen 2SA1141, 2SA1141-R, 2SA1860, 2SA1909, 2SB1161, 2SB1161-Q oder FJAF4210 ersetzen.
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