Bipolartransistor 2SB1154-R
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1154-R
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
- Verlustleistung, max: 70 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SB1154-R
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1154-R
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com