Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1154-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
Verlustleistung, max: 70 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SB1154-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1154-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1154 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB1154-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB1154-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1154-Q-Transistor könnte nur mit "B1154-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1154-Q ist der 2SD1705-Q.
