Bipolartransistor 2SB1154-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 70 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 130 bis 260
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1154-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1154 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB1154-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SB1154-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1154-P-Transistor könnte nur mit "B1154-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1154-P ist der 2SD1705-P.Sie können den Transistor 2SB1154-P durch einen 2SB1155, 2SB1155-P, 2SB1156 oder 2SB1156-P ersetzen.