Bipolartransistor 2SB1161

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1161

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1161

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1161 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1161-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1161-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1161-S im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1161-Transistor könnte nur mit "B1161" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1161 ist der 2SD1716.
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