Bipolartransistor 2SB1161

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 120 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1161 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1161-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1161-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1161-S im Bereich von 80 bis 160.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1161-Transistor könnte nur mit "B1161" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1161 ist der 2SD1716.