Bipolartransistor FJAF4210

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJAF4210

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des FJAF4210

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJAF4210 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJAF4210O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des FJAF4210R im Bereich von 50 bis 100, die des FJAF4210Y im Bereich von 90 bis 180.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJAF4210 ist der FJAF4310.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJAF4210

Sie können den Transistor FJAF4210 durch einen 2SA1673, 2SA1860 oder 2SA1909 ersetzen.
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