Bipolartransistor NZT660A

Elektrische Eigenschaften des Transistors NZT660A

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 2 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 250 bis 550
Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des NZT660A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum NZT660A ist der NZT560A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NZT660A

Sie können den Transistor NZT660A durch einen NZT45H8 ersetzen.

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