Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA930-G
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA930-G
Der 2SA930-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA930-G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA930 liegt im Bereich von 160 bis 960, die des 2SA930-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA930-H im Bereich von 480 bis 960.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA930-G-Transistor könnte nur mit "A930-G" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA930-G ist der 2SC1571-G.
