Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA887-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 220
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-202
Pinbelegung des 2SA887-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA887-R kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA887 liegt im Bereich von 50 bis 220, die des 2SA887-P im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA887-Q im Bereich von 80 bis 160.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA887-R-Transistor könnte nur mit "A887-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA887-R ist der 2SC1848-R.