Bipolartransistor 2SA887-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA887-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des 2SA887-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA887-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA887 liegt im Bereich von 50 bis 220, die des 2SA887-P im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA887-R im Bereich von 120 bis 220.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA887-Q-Transistor könnte nur mit "A887-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA887-Q ist der 2SC1848-Q.

SMD-Version des Transistors 2SA887-Q

Der FMMT551 (SOT-23) und KTA1668 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA887-Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA887-Q

Sie können den Transistor 2SA887-Q durch einen 2SA636A oder 2SA636A-L ersetzen.
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