Bipolartransistor 2SA887

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA887

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des 2SA887

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA887 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA887-P liegt im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA887-Q im Bereich von 80 bis 160, die des 2SA887-R im Bereich von 120 bis 220.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA887-Transistor könnte nur mit "A887" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA887 ist der 2SC1848.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA887

Sie können den Transistor 2SA887 durch einen 2SA636A ersetzen.
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