Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA817A-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.4 A
Verlustleistung, max: 0.8 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SA817A-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA817A-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA817A liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SA817A-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA817A-O-Transistor könnte nur mit "A817A-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA817A-O ist der 2SC1627A-O.
SMD-Version des Transistors 2SA817A-O
Der 2SA1620 (SOT-23), 2SA1620-O (SOT-23), KTA1662 (SOT-89) und KTA1662O (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA817A-O-Transistors.
