Bipolartransistor 2SA643G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA643G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA643G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA643 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SA643O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA643R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA643Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA643G-Transistor könnte nur mit "A643G" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA643G ist der 2SD261G.Der KSA643G ist die TO-92-Version des 2SA643G.Sie können den Transistor 2SA643G durch einen 2SB564A, 2SB564AGR, KSA643, KSA643G, KSB564A, KSB564AG, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG oder MPSW51G ersetzen.