Bipolartransistor 2SA643

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA643

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA643

Der 2SA643 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA643 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA643G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA643O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA643R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA643Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA643-Transistor könnte nur mit "A643" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA643 ist der 2SD261.

Transistor 2SA643 im TO-92-Gehäuse

Der KSA643 ist die TO-92-Version des 2SA643.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA643

Sie können den Transistor 2SA643 durch einen KSA643 oder MPS6535 ersetzen.
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