Bipolartransistor 2SA643R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA643R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA643R

Der 2SA643R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA643R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA643 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SA643G im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA643O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA643Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA643R-Transistor könnte nur mit "A643R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA643R ist der 2SD261R.

Transistor 2SA643R im TO-92-Gehäuse

Der KSA643R ist die TO-92-Version des 2SA643R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA643R

Sie können den Transistor 2SA643R durch einen KSA643, KSA643R, MPS6533, MPS6535, PN2904 oder PN2906 ersetzen.
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