Bipolartransistor 2SA1365-E

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 150 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1365-E kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1365 liegt im Bereich von 150 bis 800, die des 2SA1365-F im Bereich von 250 bis 500, die des 2SA1365-G im Bereich von 400 bis 800.Der 2SA1365-E-Transistor ist als "AE" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1365-E ist der 2SC3440-E.Sie können den Transistor 2SA1365-E durch einen 2SA1298, 2SA1621, BCW67, FMMT549, FMMT549A, KSA1298, KTA1298, KTC8550S, KTC8550S-D, MMBT2907, MMBT3702 oder MPS8550S ersetzen.