Bipolartransistor 2SA1365

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 150 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1365 kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1365-E liegt im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA1365-F im Bereich von 250 bis 500, die des 2SA1365-G im Bereich von 400 bis 800.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1365-Transistor könnte nur mit "A1365" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1365 ist der 2SC3440.