Bipolartransistor 2SA1285-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1285-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SA1285-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1285-E kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1285 liegt im Bereich von 150 bis 800, die des 2SA1285-F im Bereich von 250 bis 500, die des 2SA1285-G im Bereich von 400 bis 800.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1285-E-Transistor könnte nur mit "A1285-E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1285-E ist der 2SC3245-E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1285-E

Sie können den Transistor 2SA1285-E durch einen 2SA1275, 2SA1285A, 2SA1285A-E, 2SA1319, 2SA1370, 2SA1376, 2SA1376A, HSB1109S, KSA1013, KSA709C oder KTA1275 ersetzen.
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