Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1029D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.3 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 500
Übergangsfrequenz, min: 230 MHz
Rauschzahl, max: 4 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1029D
Der 2SA1029D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1029D kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1029 liegt im Bereich von 100 bis 500, die des 2SA1029B im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1029C im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1029D-Transistor könnte nur mit "A1029D" gekennzeichnet sein.
