Bipolartransistor MJ15012G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ15012G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 120
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ15012G ist die bleifreie Version des MJ15012-Transistors

Pinbelegung des MJ15012G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ15012G ist der MJ15011G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ15012G

Sie können den Transistor MJ15012G durch einen MJ15012 ersetzen.
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