Bipolartransistor MJ15012

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ15012

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 120
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ15012

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ15012 ist der MJ15011.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ15012

Sie können den Transistor MJ15012 durch einen MJ15012G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJ15012G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ15012.
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