Bipolartransistor 2N6318

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6318

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6318

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6318 ist der 2N6316.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6318

Sie können den Transistor 2N6318 durch einen 2N5872, 2N5876, 2N5880, 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003, MJ14003G oder MJ2941 ersetzen.
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