Bipolartransistor 2N5876

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 150 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5876 ist der 2N5878.Sie können den Transistor 2N5876 durch einen 2N5880, 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003, MJ14003G oder MJ2941 ersetzen.