Bipolartransistor 2N6317

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 90 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6317 ist der 2N6315.Sie können den Transistor 2N6317 durch einen 2N5871, 2N5872, 2N5875, 2N5876, 2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6246, 2N6247, 2N6248, 2N6318, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G, MJ2940 oder MJ2941 ersetzen.