Bipolartransistor 2N5551S

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 80 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Rauschzahl, max: 8 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der 2N5551S-Transistor ist als "ZF" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5551S ist der 2N5401S.Sie können den Transistor 2N5551S durch einen KST5551 oder MMBT5551 ersetzen.