Bipolartransistor PMBT5551

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
• Verlustleistung, max: 0.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 80 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Rauschzahl, max: 8 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular 2N5551 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der PMBT5551-Transistor ist als "pG1" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum PMBT5551 ist der PMBT5401.Der 2N5551 ist die TO-92-Version des PMBT5551.Sie können den Transistor PMBT5551 durch einen 2N5551S, KST42, KST43, KST5551, MMBT5551 oder MMBTA42 ersetzen.