Bipolartransistor DZT5551
Elektrische Eigenschaften des Transistors DZT5551
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
- Rauschzahl, max: 8 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-223
- Electrically Similar to the Popular 2N5551 transistor
Pinbelegung des DZT5551
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Transistor DZT5551 im TO-92-Gehäuse
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