Bipolartransistor DZT5551

Elektrische Eigenschaften des Transistors DZT5551

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223
  • Electrically Similar to the Popular 2N5551 transistor

Pinbelegung des DZT5551

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der DZT5551-Transistor ist als "K4N" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum DZT5551 ist der DZT5401.

Transistor DZT5551 im TO-92-Gehäuse

Der 2N5551 ist die TO-92-Version des DZT5551.
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