Bipolartransistor 2N5210

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Der 2N5210 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der 2SC1623 (SOT-23), KSC1623 (SOT-23) und MMBT5210 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5210-Transistors.Sie können den Transistor 2N5210 durch einen HS945, KSC945, KSP05, KSP06, KTC9014, KTC9014C, MPS651, MPS651G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G oder ZTX692B ersetzen.