Bipolartransistor 2N3707
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3707
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2N3707
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3707
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