Transistor bipolare KTB1369O
Caratteristiche elettriche del transistor KTB1369O
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -180 V
- Tensione massima collettore-base: -200 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -2 A
- Dissipazione di potenza: 20 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 70 a 140
- Frequenza di transizione: 100 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220F
Piedinatura del KTB1369O
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KTB1369O
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